Dysk SSD SANDISK Optimus GX PRO 8100 NVMe 8TB / NVMe M.2 PCIe Gen5 / Wewnętrzny / M.2 2280

Wydajny dysk SSD PCIe® 5.0 dla profesjonalistów, twórców treści i zapalonych graczy.

Dysk SSD SANDISK Optimus™ GX PRO 8100 NVMe™ zapewnia najwyższą wydajność w wymagających środowiskach AI , projektach na dużą skalę i intensywnych sesjach gier. Wyposażony w technologię PCIe® 5.0 x4 , dysk oferuje sekwencyjną prędkość odczytu do 14 900 MB/s i prędkość zapisu do 13 200 MB/s . Zapewnia losową prędkość odczytu/zapisu do 2,2 Mb/s/2,4 Mb/s, co pozwala na płynną pracę wielozadaniową.

Dzięki imponującej pojemności 8 TB w formacie M.2 2280 zyskujesz mnóstwo miejsca na rozbudowane biblioteki gier i duże projekty cyfrowe. Dysk został zbudowany w oparciu o pamięć SANDISK® BiCS TLC 3D CBA NAND ósmej generacji i integruje technologię SANDISK® nCache™ 4.0 , co umożliwia szybkie przesyłanie dużych plików. Wysoka wytrzymałość na poziomie 4800 TBW gwarantuje niezawodność nawet przy wymagających obciążeniach i częstym zapisie danych.

Wydajność dla sztucznej inteligencji i tworzenia treści
Dysk jest zoptymalizowany pod kątem wymagających przepływów pracy z wykorzystaniem sztucznej inteligencji, edycji wideo z wykorzystaniem sztucznej inteligencji oraz innych aplikacji wymagających dużej prędkości losowej. Technologia nCache™ 4.0 zapewnia najwyższą wydajność podczas pracy z dużymi plikami.

Efektywność energetyczna
Dzięki średniemu poborowi mocy na poziomie 7,1 W podczas odczytu i 7,3 W podczas zapisu dysk ten oferuje ponad dwukrotnie wyższą efektywność energetyczną niż modele PCIe® Gen 4, co przekłada się na dłuższy czas pracy baterii notebooka i niższą temperaturę pracy.

Zgodność i oprogramowanie
Dysk jest wstecznie kompatybilny z interfejsami PCIe® 4.0, 3.0 i 2.0. Oprogramowanie SANDISK® Dashboard for Windows® oraz Acronis® True Image™ for SANDISK® umożliwiają łatwe tworzenie kopii zapasowych danych.

PODSTAWOWE DANE TECHNICZNE

Pojemność: 8TB

Format: M.2 2280-D5-M

Interfejs: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Technologia: SanDisk 3D TLC NAND, nCache 4.0, pamięć podręczna DRAM
Prędkość odczytu/zapisu: do 14 900 / 13 200 MB/s
Losowy odczyt/zapis: do 2,2 M / 2,4 M IOPS
Średnie zużycie energii: 7,1 W (odczyt), 7,3 W (zapis), 5 mW (uśpienie)
Żywotność i niezawodność: 4800 TBW, MTTF 1,75 mln godzin
Bezpieczeństwo: TCG OPAL 2.02

Wymiary: 80 × 22 × 3,88 mm

Waga: 8,6 g