SANDISK Optimus GX PRO 8100 NVMe 8 TB SSD / NVMe M.2 PCIe Gen5 / Intern / M.2 2280

Hochleistungsfähige PCIe® 5.0 SSD für Profis, Content-Ersteller und Hardcore-Gamer.

Die SANDISK Optimus™ GX PRO 8100 NVMe™ SSD bietet Spitzenleistung für anspruchsvolle KI-Workflows , umfangreiche Projekte und intensive Gaming-Sessions. Dank PCIe® 5.0 x4- Technologie erreicht das Laufwerk sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 14.900 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 13.200 MB/s . Mit zufälligen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2,2 Mio./2,4 Mio. IOPS ermöglicht sie flüssiges Multitasking.

Mit großzügigen 8 TB Speicherkapazität im M.2-2280 -Formfaktor bietet die SSD reichlich Platz für umfangreiche Spielesammlungen und große digitale Projekte. Sie basiert auf SANDISK® BiCS TLC 3D CBA NAND der 8. Generation und integriert die SANDISK® nCache™ 4.0- Technologie für schnelle Übertragungen großer Dateien. Die hohe Ausdauer von 4.800 TBW gewährleistet Zuverlässigkeit auch bei anspruchsvollen Workloads mit häufigen Datenschreibvorgängen.

Leistungsfähigkeit für KI und Content-Erstellung
Das Laufwerk ist für anspruchsvolle KI-Workflows, KI-gestützte Videobearbeitung und andere Anwendungen optimiert, die hohe Zugriffsgeschwindigkeiten erfordern. Die nCache™ 4.0-Technologie gewährleistet Spitzenleistung bei der Arbeit mit großen Dateien.

Energieeffizienz
Mit einem durchschnittlichen Stromverbrauch von 7,1 W beim Lesen und 7,3 W beim Schreiben bietet das Laufwerk eine mehr als doppelt so hohe Energieeffizienz wie PCIe® Gen 4-Modelle, wodurch die Akkulaufzeit von Notebooks verlängert und die Betriebstemperaturen gesenkt werden.

Kompatibilität und Software
Das Laufwerk ist abwärtskompatibel mit PCIe® 4.0-, 3.0- und 2.0-Schnittstellen. Für die einfache Datensicherung stehen die Software SANDISK® Dashboard für Windows® und Acronis® True Image™ für SANDISK® zur Verfügung.

GRUNDLEGENDE SPEZIFIKATIONEN

Kapazität: 8 TB

Format: M.2 2280-D5-M

Schnittstelle: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Technologie: SanDisk 3D TLC NAND, nCache 4.0, DRAM-Cache
Lese-/Schreibgeschwindigkeit: bis zu 14.900 / 13.200 MB/s
Zufälliges Lesen/Schreiben: bis zu 2,2 Mio. / 2,4 Mio. IOPS
Durchschnittlicher Stromverbrauch: 7,1 W (Lesen), 7,3 W (Schreiben), 5 mW (Ruhemodus)
Lebensdauer und Zuverlässigkeit: 4.800 TBW, MTTF 1,75 Mio. Stunden
Sicherheit: TCG OPAL 2.02

Abmessungen: 80 × 22 × 3,88 mm

Gewicht: 8,6 g