Dysk SSD SANDISK Optimus GX PRO 8100 NVMe 2TB / NVMe M.2 PCIe Gen5 / wewnętrzny / M.2 2280

Wydajny dysk SSD PCIe 5.0 przeznaczony do wymagających zastosowań profesjonalnych, tworzenia treści i gier.

SANDISK Optimus™ GX PRO 8100 to wewnętrzny dysk SSD NVMe o pojemności 2 TB , który wykorzystuje interfejs PCIe® 5.0 x4 , zapewniając maksymalną prędkość transferu. Dysk oferuje sekwencyjną prędkość odczytu do 14 900 MB/s i prędkość zapisu do 14 000 MB/s , umożliwiając szybkie ładowanie dużych projektów i światów gier. W przypadku wymagających przepływów pracy z wykorzystaniem sztucznej inteligencji, oferuje losową prędkość odczytu/zapisu do 2,3/2,4 mln IOPS .

Dysk został zbudowany w oparciu o pamięć SANDISK® BiCS TLC 3D CBA NAND ósmej generacji w formacie M.2 2280 i wykorzystuje zaawansowaną technologię SANDISK® nCache™ 4.0 , optymalizując wydajność podczas przesyłania dużych plików. Dzięki wytrzymałości 1200 TBW , dysk został zaprojektowany do wymagających zadań, w tym do obsługi narzędzi do tworzenia treści i edytorów wideo AI. Idealny do kompatybilnych stacji roboczych, komputerów AI i komputerów do gier.

Wysoka wydajność dla profesjonalistów i graczy
Dysk jest zoptymalizowany pod kątem wymagających procesów roboczych, takich jak modelowanie 3D, symulacje naukowe i finansowe oraz procesy produkcyjne oparte na sztucznej inteligencji. Szybkie operacje losowe zapewniają płynną pracę z dużymi zbiorami danych, wideo 8K i grami AAA.

Efektywność energetyczna i chłodzenie
Dzięki średniemu poborowi mocy wynoszącemu 6,4 W podczas odczytu i 7,0 W podczas zapisu, dysk oferuje wysoką energooszczędność. W trybie uśpienia (PS4) pobór mocy spada do zaledwie 5 mW , co wydłuża czas pracy baterii podczas korzystania z urządzenia mobilnego.

Zgodność i oprogramowanie
Dysk jest wstecznie kompatybilny z interfejsami PCIe® 4.0 i 3.0. Do zarządzania danymi i tworzenia kopii zapasowych dostępne są aplikacje SANDISK® Dashboard for Windows® oraz Acronis® True Image™ for SANDISK®.

PODSTAWOWE DANE TECHNICZNE

Pojemność: 2TB

Format: M.2 2280-S3-M

Interfejs: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Technologia: SanDisk 3D TLC NAND, nCache 4.0, pamięć podręczna DRAM
Prędkość odczytu/zapisu: do 14 900 / 14 000 MB/s

Losowy odczyt/zapis: do 2,3 M / 2,4 M IOPS
Średnie zużycie energii: 6,4 W (odczyt), 7,0 W (zapis), 5 mW (uśpienie)
Żywotność i niezawodność: 1200 TBW, MTTF 1,75 mln godzin

Bezpieczeństwo: TCG OPAL 2.02

Wymiary: 80 × 22 × 2,38 mm

Waga: 7,5 g