SANDISK Optimus GX PRO 8100 NVMe 2 TB SSD / NVMe M.2 PCIe Gen5 / Intern / M.2 2280

Hochleistungsfähige PCIe 5.0 SSD, entwickelt für anspruchsvolle professionelle Anwendungen, Content-Erstellung und Gaming-Performance.

Die SANDISK Optimus™ GX PRO 8100 ist eine interne 2-TB -NVMe-SSD , die die PCIe® 5.0 x4- Schnittstelle für maximale Übertragungsgeschwindigkeiten nutzt. Das Laufwerk erreicht sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 14.900 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 14.000 MB/s und ermöglicht so das schnelle Laden großer Projekte und Spielwelten. Für anspruchsvolle KI-Workflows bietet es zufällige Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2,3 Mio./2,4 Mio. IOPS .

Das Laufwerk basiert auf SANDISK® BiCS TLC 3D CBA NAND-Speicher der 8. Generation im M.2-2280 -Format und nutzt die fortschrittliche SANDISK® nCache™ 4.0- Technologie zur Leistungsoptimierung beim Übertragen großer Dateien. Mit einer Lebensdauer von 1.200 TBW ist es für anspruchsvolle Workloads wie Content-Creation-Tools und KI-Videobearbeitungsprogramme ausgelegt. Ideal für kompatible Workstations, KI-Computer und Gaming-PCs.

Hohe Leistung für Profis und Gamer
Das Laufwerk ist für anspruchsvolle Arbeitsabläufe optimiert, darunter 3D-Modellierung, wissenschaftliche und finanzielle Simulationen sowie KI-Produktionsprozesse. Schnelle Zufallsoperationen gewährleisten einen reibungslosen Betrieb bei der Verarbeitung großer Datensätze, 8K-Videos und AAA-Spielen.

Energieeffizienz und Kühlung
Mit einem durchschnittlichen Stromverbrauch von 6,4 W beim Lesen und 7,0 W beim Schreiben bietet das Laufwerk eine hohe Energieeffizienz. Im Ruhemodus (PS4) sinkt der Verbrauch auf nur 5 mW , was die Akkulaufzeit bei mobiler Nutzung verlängert.

Kompatibilität und Software
Das Laufwerk ist abwärtskompatibel mit PCIe® 4.0- und 3.0-Schnittstellen. Für Datenverwaltung und -sicherung stehen die Software SANDISK® Dashboard für Windows® und Acronis® True Image™ für SANDISK® zur Verfügung.

GRUNDLEGENDE SPEZIFIKATIONEN

Kapazität: 2 TB

Format: M.2 2280-S3-M

Schnittstelle: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Technologie: SanDisk 3D TLC NAND, nCache 4.0, DRAM-Cache
Lese-/Schreibgeschwindigkeit: bis zu 14.900 / 14.000 MB/s

Zufälliges Lesen/Schreiben: bis zu 2,3 Mio. / 2,4 Mio. IOPS
Durchschnittlicher Stromverbrauch: 6,4 W (Lesen), 7,0 W (Schreiben), 5 mW (Ruhemodus)
Lebensdauer und Zuverlässigkeit: 1.200 TBW, MTTF 1,75 Mio. Stunden

Sicherheit: TCG OPAL 2.02

Abmessungen: 80 × 22 × 2,38 mm

Gewicht: 7,5 g