Dysk SSD SANDISK Optimus GX PRO 8100 NVMe 4TB / NVMe M.2 PCIe Gen5 / Wewnętrzny / M.2 2280

Wydajny dysk SSD PCIe® 5.0 dla wymagających profesjonalistów, twórców treści i graczy.

SANDISK Optimus™ GX PRO 8100 to wysokiej klasy dysk SSD NVMe™ z interfejsem PCIe® 5.0 x4 , który zapewnia ekstremalną wydajność w wymagających procesach AI, tworzeniu treści i grach. Dzięki sekwencyjnym prędkościom odczytu do 14 900 MB/s i zapisowi do 14 000 MB/s, dysk umożliwia szybkie ładowanie i zapisywanie dużych projektów oraz bibliotek gier.

Dysk o pojemności 4 TB jest wyposażony w pamięć NAND SANDISK® BiCS TLC 3D CBA ósmej generacji i pamięć podręczną DRAM dla optymalnej wydajności. Zintegrowana technologia SANDISK® nCache™ 4.0 zapewnia błyskawiczne przesyłanie dużych plików z losową prędkością odczytu do 2,3 mln IOPS i zapisu do 2,4 mln IOPS . Format M.2 2280 gwarantuje kompatybilność z nowoczesnymi stacjami roboczymi, komputerami AI i komputerami do gier.

Efektywność energetyczna i chłodzenie
Dysk pracuje ze średnim poborem mocy czynnej wynoszącym 6,5 W podczas odczytu i 7,0 W podczas zapisu, co stanowi ponad dwukrotnie większą efektywność energetyczną niż rozwiązania PCIe Gen 4. W trybie uśpienia (PS4) zużywa zaledwie 5 mW . Niższe zużycie energii oznacza niższą temperaturę pracy i dłuższą żywotność podczas pracy w podróży.

Niezawodność i bezpieczeństwo
Dzięki wytrzymałości na poziomie 2400 TBW i MTTF do 1,75 miliona godzin dysk ten został zaprojektowany z myślą o wymagających obciążeniach, takich jak modelowanie 3D, symulacje naukowe i procesy produkcyjne AI. Obsługa standardu TCG Opal 2.02 umożliwia sprzętowe szyfrowanie danych dla maksymalnego bezpieczeństwa.

Zgodność i oprogramowanie
Dysk jest wstecznie kompatybilny z interfejsami PCIe 4.0 x4, 4.0 x2, 4.0 x1, 3.0 x4, 3.0 x2, 3.0 x1, 2.0 x4, 2.0 x2 i 2.0 x1. Do zarządzania dyskiem dostępne są aplikacje SANDISK® Dashboard (tylko Windows®) oraz Acronis® True Image™ for SANDISK®.

PODSTAWOWE DANE TECHNICZNE

Pojemność: 4TB

Format: M.2 2280-S3-M

Interfejs: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0

Technologia: SanDisk 3D TLC NAND, nCache 4.0, pamięć podręczna DRAM
Prędkość odczytu/zapisu: do 14 900 / 14 000 MB/s
Losowy odczyt/zapis: do 2,3 M / 2,4 M IOPS
Średnie zużycie energii: 6,5 W (odczyt), 7,0 W (zapis), 5 mW (uśpienie)
Trwałość i niezawodnośćTrwałość: 2400 TBW, MTTF 1,75 mln godzin
Bezpieczeństwo: TCG OPAL 2.02

Wymiary: 80 × 22 × 2,38 mm

Waga: 7,5 g